题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A. DRAM B.SRAM)

提问人：网友wu30wu0005 发布时间：2022-01-07

参考答案

查看官方参考答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！

更多“利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A.…”相关的问题

第1题

动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。

A、刷新

B、存储

C、充电

D、放电

点击查看答案

第2题

图示是MOS管放大电路的交流通路，将反馈电阻Rf接入输入和输出回路中，试分析能在电路中引入下列反馈中的哪几种：。

A、电压串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电流并联负反馈

点击查看答案

第3题

EPROM采用了叠栅注入MOS管，写入时需要雪崩写入，而擦除时需要照射紫外线。

点击查看答案

第4题

关于MOS电容，以下说法正确的是

A、MOS电容是固定电容

B、MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C、MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D、随着栅电压增加，MOS电容会减小

点击查看答案

第5题

【判断题】RAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。

点击查看答案

第6题

MOS管共漏放大电路的电压放大倍数达不到1。

点击查看答案

第7题

MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

点击查看答案

第8题

判断题：P沟道增强型MOS管，结构与NMOS管相反，vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反，开启电压vT为负值。

点击查看答案

第9题

BJT或MOS管，最典型的特点是（）

A、内部有PN结

B、单向导电性

C、输出电流与温度有关

D、输出电流受控

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

简答题

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

简答题

点击打开微信