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[主观题]

EPROM采用了叠栅注入MOS管，写入时需要雪崩写入，而擦除时需要照射紫外线。

提问人：网友sharpperson1 发布时间：2022-01-07

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第1题

目前光电检波管通常有( )和( )。

A、PIN光电二极管

B、PN管

C、发光二级管

D、雪崩光电二极管APD

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第2题

对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。

A、MOS；结型

B、增强型；结型

C、增加型；耗尽型

D、耗尽型；结型

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第3题

MOS管导通时，D-S间电阻非常大。()

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第4题

MOS管截止时，D-S间电阻非常大。()

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第5题

MOS管共漏放大电路的电压放大倍数达不到1。

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第6题

以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大

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第7题

栅极不加电压时耗尽型MOS是导通的。（）

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第8题

MOS管的功耗要小于三极管的功耗

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第9题

MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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