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[单选题]

关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有()。

A.杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

B.低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C.高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降

D.当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

提问人:网友napolean007 发布时间:2022-01-06
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第1题
半导体电阻率和电阻是相同的概念。
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第2题
室温范围,n型半导体的电阻率随温度升高如何变化?()
A、增大

B、减小

C、不变

D、先减小,后增大

E、先增大,后减小

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第3题
玻璃的电导率随温度的升高而 。

A、增大

B、减小

C、不变

D、都有可能

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第4题
热敏电阻是利用( )的电阻随温度变化的特性测温的传感器。

A、金属

B、半导体

C、晶体三极管

D、二极管

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第5题
热敏电阻和金属热电阻原理一样,都是利用半导体元件阻值随温度变化显著变化的特点。
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第6题
依据导体电阻随温度变化的特性可以制成热电阻,要求其材料电阻温度系数大、稳定性好、电阻率高、电阻与温度之间最好有线性关系。
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第7题
热电阻温度计是利用金属或半导体材料的电阻率随温度的变化而不变化的原理制成的。
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第8题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第9题
电阻温度计是基于金属导体或半导体的______与本身的______存在一定的函数关系的原理来实现测温的。
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第10题
当温度升高时,半导体的电阻将()。

A. 增大;

B. 减小;

C. 不变;

D. 相等。

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