题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

提问人:网友Dume2021 发布时间:2022-01-07
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B、低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C、高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降

D、当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

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C、有电子和空穴两种载流子

D、在一定条件下,产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等,达到动态平衡

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