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[单选题]

下列()不属于物理气相淀积。

A.磁控溅射和射频溅射

B.电子束蒸发

C.电阻丝加热蒸发

D.ICP-CVD

提问人:网友文旻昊 发布时间:2022-01-07
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匿名网友 选择了A
[52.***.***.220] 1天前
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[90.***.***.141] 1天前
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[43.***.***.232] 1天前
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[236.***.***.18] 1天前
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[12.***.***.152] 1天前
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第1题
下列不属于婴儿生理特点的选项是()

A.胃淀糖酶含量低

B.胃幽门括约肌较松弛

C.胃蛋白酶活力弱

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第2题
下列水处理方法中()不属于物理法。

A. 格栅

B. 沉淀

C. 重力浓缩

D. 中和

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第3题
犁底层(名词解释题)

犁底层

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第4题
土壤层次(名词解释题)

土壤层次

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第5题
泥浆池沉淀物不得超过其容积的()。

A. 1/2

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C. 1/5

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第6题
通过外加磁场提高电子的离化率,磁控溅射可以提高溅射效率。
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第7题
物理气相淀积主要可分为()和()两类。
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第8题
下列选项中()可作为绝缘介质膜使用。

A、氧化硅

B、氮化硅

C、氮化镓

D、三氧化二铝

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第9题
以下选项中()属于MOCVD的特点。

A、适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体。

B、生长易于控制,可以生长纯度很高的材料。

C、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡。

D、外延层大面积均匀性良好,可以进行大规模生产。

E、非常适合于生长各种异质结构材料。

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第10题
自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象,下面选项中()是减小自掺杂现象可采取的措施。

A、降低外延生长的温度

B、衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖

C、用两步外延法

D、低压外延法

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