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[单选题]

某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A.为N沟道耗尽型MOS管,某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

B.为N沟道耗尽型MOS管,某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

C.为P沟道耗尽型MOS管,某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

D.为P沟道耗尽型MOS管,某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

提问人:网友itso310 发布时间:2022-01-06
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第1题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A、为P沟道增强型MOS管,Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管,UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管,UT=1V

D、为P沟道结型场效应管,Up=1V

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第2题
结型场效应管的输出特性曲线可分为()。
A.可变电阻区和饱和区

B.可变电阻区和击穿区

C.饱和区和击穿区

D.可变电阻区、饱和区和击穿区

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第3题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。

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第4题
某振荡电路如图所示,若图中电阻Rt=10kW,为了让电路能可靠起振,图中电阻R2的取值为:

A、R2<5kω> B、R2为任意值

C、R2>5kΩ

D、R2>10kΩ

E、R2=5kΩ

F、R2=10kΩ

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第5题
单电源运放的工作电源为[图],如果偏置电压设置为[图]...

单电源运放的工作电源为,如果偏置电压设置为时,理论分析其输出最大动态范围近似为( )。

A、

B、

C、

D、2VCC

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第6题
下列关于低频跨导[图]的表达式,正确的是 。A、[图]B、[图...

下列关于低频跨导的表达式,正确的是 。

A、

B、

C、

D、

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第7题
自偏压式放大电路适合于 场效应管。

A、结型

B、增强型

C、耗尽型

D、任意

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第8题
假设共源放大电路中的静态工作点偏低,则下列说法正确的是 。

A、可能先出现饱和失真,其最大不失真输出电压幅值为

B、可能先出现饱和失真,其最大不失真输出电压幅值为

C、可能先出现截止失真,其最大不失真输出电压幅值为

D、可能先出现截止失真,其最大不失真输出电压幅值为

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第9题
下列关于各类场效应管的叙述,正确的是 。

A、JFET的极性相反,EMOS管的极性相同

B、JFET的极性相同,EMOS管的极性相反

C、N-DMOS管的为正,P-DMOS管的为负,而极性任意

D、N-DMOS管的为负,P-DMOS管的为正,而极性任意

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