题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。 可从下面选择: 气相 硅片表面 n-/n+Si界面
提问人:网友zishi06
发布时间:2022-01-07
A、生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律>
B、温度升高氧化速率迅速增加
C、(111)硅比(100)硅氧化得快
D、有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E、生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F、生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
A、图(a)是限定源扩散,图(b)恒定源扩散
B、图(a)、(b)都是限定源扩散
C、图(a)、(b)都是恒定源扩散
D、图(a)是恒定源扩散,图(b)限定源扩散
A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;
B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
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