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[主观题]

半导体中的载流子浓度与自身()无关。 A.温度 B.光照 C.体积 D.参杂

提问人:网友linhongwei 发布时间:2022-01-07
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第1题
在杂质半导体中,多数载流子的数量取决于掺杂浓度。
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第2题
在杂质半导体中,少数载流子的浓度与 有很大关系。

A、掺杂工艺

B、晶体缺陷

C、温度

D、杂质浓度

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第3题
随着温度的升高,N型半导体中的载流子数目变化为:

A、自由电子变多,空穴变少。

B、自由电子变少,空穴变多。

C、自由电子变少,空穴变少。

D、自由电子变多,空穴变多。

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第4题
半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度( )。

A、增加

B、不变

C、减小

D、无法判断

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第5题
半导体中的载流子包括( )

A、自由电子

B、空穴

C、自由电子和空穴

D、离子

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第6题
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
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第7题
N 型半导体中( )是多数载流子。
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第8题
在P型半导体中,多数载流子是()。

A、电子

B、空穴

C、离子

D、杂质

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第9题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:

A、无外界作用

B、有确定的载流子浓度

C、有统一的费米能级

D、载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E、导带和价带之间没有统一的费米能级

F、载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方

G、有非平衡载流子

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