题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

解决沟道效应的方法有

A.退火

B.将硅片倾斜一定的角度

C.在洁净硅表面铺一层非晶物质

D.破坏表面硅原子的结构

提问人：网友cnhawk386 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

什么是沟道效应？抑制方法？

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第2题

通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。

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第3题

短沟道效应会引起的变化是()。

A、沟道长度减小，阈值电压增大

B、沟道长度减小，阈值电压减小

C、沟道长度减小，阈值电源不变

D、沟道长度减小，阈值电压不一定

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第4题

窄沟道效应

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第5题

短沟道效应会导致的后果不包括的是()。

A、阈值电压降低，器件特性改变

B、亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C、漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D、沟道电阻降低，饱和电流上升

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第6题

沟道效应（名词解释题）

沟道效应

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第7题

场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。

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第8题

N沟道增强型场效应管中栅极添加了二氧化硅绝缘层。

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第9题

沟道电导调制效应

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第10题

以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。

A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

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