什么是沟道效应？抑制方法？

什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

A.激活杂质

B.修复晶格损伤

C.抑制沟道效应

D.得到合适的杂质分布

A.偏转注入或倾斜硅片

B.在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化

C.提高离子注入的速度

D.衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

1.给出每一步的具体工艺方法和需要用到的设备：不能写PVD，必须给出具体PVD中的哪种工艺及相应的设备； 2.采用这种工艺方法的原因；光刻必须给出光刻胶正负，画出掩模板图形 3.作图给出每一步完成之后得到的结构； 4.画出完整的工艺流程图； 5. 不需要给出具体工艺控制参数的值，如温度、压力等的具体数值，但工艺方法、原理必须描述清楚、详尽； 6. 论述制备过程中的以下关键技术问题： (1) MOS隔离技术的可选工艺有哪些？ (2) 什么是STI？STI氧化物填充过程中发生了哪些氧化反应步骤，分别写出反应方程，氧化反应特点及作用？ (3) STI槽刻蚀的工艺步骤，并阐述氮化硅和氧化硅的作用？ (4) 什么是短沟道效应？采用那些措施防止？叙述具体工艺步骤 (5) n阱形成的工艺步骤及各关键步骤的作用？ p阱注入和n阱注入时的差别？ (6) 哪些工艺步骤中不需要掩膜？

A.退火

B.将硅片倾斜一定的角度

C.在洁净硅表面铺一层非晶物质

D.破坏表面硅原子的结构