题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
________不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压
A.增加SiO2层的厚度
B.Wm <ws>
C.向沟道区掺入B
D.衬源间施加负偏压
提问人:网友fubing123
发布时间:2022-01-07
A.增加SiO2层的厚度
B.Wm <ws>
C.向沟道区掺入B
D.衬源间施加负偏压
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
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