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[主观题]

写出加偏压的N沟道增强型MESFET空间电荷区宽度的表达式并导出阈值电压（对于耗尽型称为夹断电压，二者符号相

写出加偏压的N沟道增强型MESFET空间电荷区宽度的表达式并导出阈值电压(对于耗尽型称为夹断电压，二者符号相反)和内夹断电压的表达式．

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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第1题

写出加偏压的N沟道增强型MESFET空间电荷区宽度的表达式并导出阈值电压（对于耗尽型称为夹断电压，二者符号相

写出加偏压的N沟道增强型MESFET空间电荷区宽度的表达式并导出阈值电压(对于耗尽型称为夹断电压，二者符号相反)和内夹断电压的表达式．

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第2题

自给偏压式放大电路适合于场效应管。

A.结型

B.N沟道增强型

C.任意

D.P沟道增强型

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第3题

P型增强型MOS管当栅极加上正向偏压后沟道出现，MOS管导通。

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第4题

________不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压

A.增加SiO2层的厚度

B.Wm ＜ws＞

C.向沟道区掺入B

D.衬源间施加负偏压

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第5题

写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。（1)N沟道结型FET。（2)P沟道结型FET。（3)N沟道耗

写出下列各类场效应管工作在放大状态下的u_GS、U_DS的极性。

(1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。

(3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。

(5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。

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第6题

N沟道增强型MOSFET的VGS=0时,VDS加正向电压有导电沟道,加反向电压时没有导电沟道（）

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第7题

用N沟道增强型的MOS管作开关管使用，栅极G加低电平时MOS管导通。

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第8题

简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理。

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第9题

假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。

假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。

A.N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型

B.N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型

C.P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型

D.P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型

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第10题

N沟道结型场效应管的栅源偏压 N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

应该处于（）范围之内。

A. N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

B. N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

C. N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

D. N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（）范围之内。

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第11题

某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？

某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？

A.N沟道JFET

B.P沟道JFET

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道增强型MOS管

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