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什么是化学机械抛光？

提问人：网友zhouge1009 发布时间：2022-01-06

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第1题

化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（)。

A.抛光机

B.抛光液

C.抛光垫

D.后清洗设备

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第2题

简述化学机械抛光的工艺特点

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第3题

化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术，抛光技术非常成熟，不会产生任何缺陷。（)

此题为判断题(对，错)。

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第4题

化学机械抛光的平整度是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比，它描述了硅片表面的起伏变化情况。（)

此题为判断题(对，错)。

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第5题

下面（）方法可实现晶片表面的全局化平坦。

A.反刻

B.化学机械抛光

C.玻璃回流

D.旋涂膜层

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第6题

氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（)方面。

A.大马士革工艺

B.层间介质(ILD)CMP

C.浅沟槽隔离(STI)CMP

D.钨的CMP

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第7题

不同材料的化学机械抛光应选择不同的酸碱性溶液。酸性抛光液常选择PH=4的溶液，常用于抛光非金属材料。

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第8题

化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。（)

此题为判断题(对，错)。

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第9题

下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是（)。

A.平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化

B.在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用

C.能获得全局平坦化

D.由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖

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第10题

不同材料的化学机械抛光应选择不同的酸碱性溶液。酸性抛光液常选择PH=4的荣毅仁，常用于抛光（)材料。

A.多晶硅

B.金属

C.氧化硅

D.非金属

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