题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是（)。

A.平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化

B.在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用

C.能获得全局平坦化

D.由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖

提问人：网友文旻昊 发布时间：2022-01-07
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第1题

什么是化学机械抛光？

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第2题
电化学抛光与化学抛光相比较,正确的是()。
A、溶液使用寿命长

B、溶液的分散力好

C、适用于形状复杂的零件

D、消耗的电能小

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第3题
磨粗（名词解释题）

磨粗

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第4题
下面关于研磨材料的用途叙述错误的是（）

A. 氧化锡主要用于口腔内抛光牙组织或修复体

B. 氧化铬实用于各种金属抛光

C. 氧化铁主要用于贵金属的抛光

D. 碳酸钙主要用于制作砂纸用，还可用作牙膏的磨光剂

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第5题
与化学抛光相比,电化学抛光的特点是()。
A、抛光后的工件表面更光亮

B、抛光溶液使用寿命更长

C、不产生N(黄烟)等有害气体

D、可以抛光形状更复杂的工件

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第6题
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（）方面。

A、大马士革工艺

B、层间介质（ILD）CMP

C、浅沟槽隔离(STI)CMP

D、钨的CMP

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第7题
在金属铜的双大马士革铜抛光工艺中，研磨通常包括下面哪几步？（）

A、磨掉晶圆表面的大部分金属

B、降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属，并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上

C、磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物

D、用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆两侧表面

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第8题
化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。

A、抛光机

B、抛光液

C、抛光垫

D、后清洗设备

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第9题
玻璃回流可以满足深亚微米IC的平坦化要求。
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第10题
化学机械抛光设备中的抛光垫越粗糙，抛光速率越高，抛光图形的选择性越高，平坦化抛光的效果也越好，但过于粗糙，易产生划痕。
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