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[判断题]
电力MOSFET通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利（）
提问人：网友154336271
发布时间：2022-11-06
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A.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
D.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
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第7题
下面的描述（）不属于电力MOSFET的特性
A.驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快
B.耐压高，电流容量大
C.反型层形成沟道导电
D.通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利
第8题
在大功率变换器中，单管的电压、电流可能不能满足要求，需要进行器件的串、并联使用，以下有关器件串联和并联的说法，正确的是：
A.一组器件的驱动信号要尽量保持一致
B.MOSFET不适合并联使用
C.BJT的导通电阻具有正温度系数
D.IGBT在电流较大时具有负温度系数
第9题
MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
A.型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
第11题
关于绝缘栅双极晶体管，以下说法正确的是
A.驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件
B.主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C.通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管
D.高耐压的同时也具有很小的通态压降
E.可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F.关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长
