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[主观题]

mos共源放大电路如图所示。其中mos管的ugs(th)=3v,ido=180ma,cgs=cds=cgd=20pf,vdd=9v,rg1=rg2=4.5kω,rg3=100kω,rs=200ω,rd=800ω,c1=c2=ce=100uf,rl=1kω

MOS共源放大电路如图所示。其中MOS管的UGS(th)=3V,IDO=180mA,Cgs=Cds=Cgd=20pF,VDD=9V,RG1=RG2=4.5kΩ,RG3=100kΩ,RS=200Ω,RD=800Ω,C1=C2=CE=100uF,RL=1kΩmos共源放大电路如图所示。其中mos管的ugs(th)=3v,ido=180ma,cgs=cds=1、估算IDQ,UDSQ 2、估算Aup、Ri和Ro 3、估算fL、fH

提问人:网友kangtazhu 发布时间:2022-01-07
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第2题
对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
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第3题
理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压

A、越大

B、越小

C、不变

D、不一定

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第4题

A、MOS

B、BJT

C、R

D、C

E、L

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第5题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第7题
当MOS管()和信号源确定后,增益带宽积近似为常数,和组态无关

此题为判断题(对,错)。

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第8题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。
A、此时满足条件

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为

D、沟道夹断区为耗尽区

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第9题
级联放大电路中,后一级的输入电阻是前一级的负载电阻。
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第10题
MOS管Cascode放大电路中,第一级为( )组态,第二级为( )组态。

A、共源、共栅

B、共栅、共源

C、共源、共漏

D、共漏、共栅

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