题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

IGBT有哪些缺点？()

A.开关速度不及电力MOSFET

B.开关速度比电力MOSFET快

C.电压、电流容量不及GTO

D.电压、电流容量比GTO大

提问人：网友yww2019 发布时间：2022-01-06

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ABCD

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第1题

感应电机进行速度控制时，所用的半导体开关器件有GTO或

A.VVF

B.VVVF

C.IGBT

D.PWM

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第2题

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

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第3题

作为开关使用时，IGBT有哪些优点？

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第4题

IGBT的开关速度高于功率场效应管。（)

IGBT的开关速度高于功率场效应管。()

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第5题

IGBT的开关速度是电力电子器件中最高的。

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第6题

IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。

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第7题

如下，关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：

A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。

B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET快。

C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR快。

D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。

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第8题

比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是

A.IGBT

B.MOSFET

C.GTR

D.GTO

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第9题

IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度（）电力MOSFET

A.＜

B.≥

C.=

D.≤

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第10题

关于IGBT元件，下列说法正确的是（)。

A.是电流型元件

B.开关速度较慢

C.是电压型元件

D.是全控可控硅元件

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