题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
原子层淀积（ALD）是利用反应气体与基板之间的气-固反应来完成薄膜淀积或外延生长的技术。
提问人：网友devillove
发布时间：2022-01-07
如搜索结果不匹配，请 
A.原子层淀积（ALD）
B.物理气相淀积（PVD）
C.化学气相淀积(CVD)
D.磁控溅射
题目内容
（请给出正确答案）
您可能会需要：
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“原子层淀积（ALD）是利用反应气体与基板之间的气-固反应来完…”相关的问题
第2题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（);反应室漏气;外延层的晶体（);系统沾污等;载气纯度不够;
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
第3题
激光诱导气相化学反应法是利用激光光子能量加热反应体系来制备纳米颗粒的一种方法，其基本原理是利用大功率激光器的激光束照射于反应气体，反应气体通过对入射激光光子的强吸收，气体分子或原子在瞬间得到加热、活化，在极短的时间内完成 等过程，从而制得相应物质的纳米颗粒。
第5题
下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。
A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
第6题
等离子体技术制备纳米颗粒的基本原理是在等离子体发生装置中引入干燥气体，使干燥气体电离，并在反应室中形成稳定的 。利用其活性原子、分子、离子或电子以高速射到各种金属或化合物原料表面，使原料瞬间加热、熔融并蒸发，蒸发的气相原料与等离子体或反应性气体发生气相化学反应、成核、凝聚、生长，并迅速脱离反应区域，经过短暂的快速冷凝过程后，得到相应物质的纳米颗粒。
第10题
自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（)是减小自掺杂现象可采取的措施。
A.降低外延生长的温度
B.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖
C.用两步外延法
D.低压外延法
