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[主观题]

要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。

提问人：网友dlip1204 发布时间：2022-01-07

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第1题

题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。

A、夹断层

B、反型层

C、导电层

D、耗尽层

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第2题

E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。

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第3题

电力MOSFET的种类按结构分为（）。

A、结型

B、绝缘栅型

C、P沟道

D、N沟道

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第4题

下列不属于提高MOS管特征频率方法的是()。

A、采用应力工程，提高载流子迁移率

B、提高跨导

C、增加沟道长度

D、减小栅围寄生电容

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第5题

N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

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第6题

增强型MOSFET导电沟道的形成是由衬底中的少子产生的()

此题为判断题(对，错)。

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第7题

增强型MOSFET导电沟道的形成是由衬底中的多子产生的()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

结型N沟道场效应管工作在恒流区时的栅源电压[图]A、大...

结型N沟道场效应管工作在恒流区时的栅源电压

A、大于0V

B、小于0V

C、等于0V

D、无要求

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第9题

增强型绝缘栅场效应管，开始形成导电沟道时的栅源电压称为。

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第10题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时。

A、不能形成导电沟道

B、能够形成导电沟道

C、漏极电流不为零

D、漏极电压为零

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