题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（)。

A.采用应力工程，提高载流子迁移率

B.提高跨导

C.增加沟道长度

D.减小栅围寄生电容

提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07

参考答案

查看官方参考答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

网友答案

查看全部（）

· 有4位网友选择 D，占比40%
· 有3位网友选择 A，占比30%
· 有3位网友选择 C，占比30%

ABCD

提交我的答案

登录提交答案，可赢取奖励机会。

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！

更多“下列不属于提高MOS管特征频率方法的是()。”相关的问题

第1题

下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（）。

A.采用应力工程，提高载流子迁移率

B.提高过驱动电压

C.增加沟道长度

D.减小栅围寄生电容

点击查看答案

第2题

提高载流子迁移率的方法是（）。

A.减小载流子有效质量

B.增加载流子有效质量

C.减小散射

D.增加散射

点击查看答案

第3题

下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（）。

A.小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

点击查看答案

第4题

要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。

点击查看答案

第5题

（）不能提高MOSFET频率特性

A.缩短沟道长度

B.减小氧化层厚度

C.使用高迁移率沟道材料

D.采用自对准多晶硅栅

点击查看答案

第6题

下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（）。

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

点击查看答案

第7题

以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。

A.增加沟道长度

B.减小栅氧化层厚度

C.减小沟道宽度

D.提高阈值电压

点击查看答案

第8题

下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（)。

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

点击查看答案

第9题

减小载流子有效质量与减小散射可以提高载流子迁移率。

点击查看答案

第10题

下面有关MOS管的说法正确的是（）

A.MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B.MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C.MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D.NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

简答题

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

简答题

点击打开微信