题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。
A.空穴，正极，电子，负极
B.空穴，负极，电子，正极
C.电子，正极，空穴，负极
D.电子，负极，空穴，正极
提问人：网友ulptfgah
发布时间：2022-01-07
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第2题
光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生 光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。
第5题
以下关于光伏型红外探测器工作机理表述正确的是
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。
C.利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
D.利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
第6题
以下关于内光电效应表述正确的是
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
第7题
以下关于内光电效应表述正确的是
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
第9题
（题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，
(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述，错误的是A.属于直接转换
B.属于间接转换
C.成像效果好于IP
D.数据转换不经过可见光
E.需要局压电场
场效应管的作用是A.产生电荷
B.存储电荷
C.开关
D.A/D转换
E.放大
请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
