题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

外延生长工艺流程是（）。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长

A.①②③④⑤

B.①②③⑤④

C.③①②⑤④

D.③①②④⑤

提问人：网友swift_csu 发布时间：2022-01-07

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第1题

外延生长结束时必须进行降温取片。

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第2题

气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是

A.HCl

B.HF

C.Cl2

D.CF4

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第3题

外延生长方法比较多，其中主要的有（)外延、（)外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（)、固相外

外延生长方法比较多，其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

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第4题

正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

D.单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

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第5题

典型的LPE生长系统主要包含带温控的外延炉、石英反应管、石墨生长舟、氢气发生器以及真空机组等几部分组成。其中（)是其核心部分。

A.外延炉

B.石英反应管

C.石墨生长舟

D.氢气发生器

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第6题

正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）

A. 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B. B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C. C.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

D. D.单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

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第7题

外延生长过程中，防止曾错的方法是利用H2清除硅片表面的损伤层。

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第8题

硅外延生长工艺包括()。

A.衬底制备

B.原位HCl腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

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第9题

关于分子束外延技术，以下叙述错误的是（）

A.速度慢

B.可实现极薄甚至单原子层生长

C.温度高

D.生长的外延片表面形貌好，平整光洁

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第10题

气相外延生长硅时，SiCl4的浓度越高越好。

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