P型半导体的空穴为（），电子为（）

A.电子为多子；

B.空穴为少子 ；

C.电子为少子；

D.空穴为多子

A.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A.空穴 空穴

B.电子 电子

C.空穴 电子

D.电子 空穴

A.N型半导体中多子是电子，少子是空穴

B.P型半导体可以掺磷（P）得到

C.P型半导体主要靠空穴导电

D.向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体

A.电子为多子

B.空穴为少子

C.能带图中施主能级靠近于导带底

D.能带图中受主能级靠近于价带顶

A.多子

B.少子

C.中子

D.不确定