关于杂质半导体,下列描述正确的是()
A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用
B、p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D、n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E、p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A、纯净的半导体称为本征半导体
B、电子与空穴成对出现,且数量和温度无关
C、有电子和空穴两种载流子
D、在一定条件下,产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等,达到动态平衡
B、半导体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带
C、半导体是:上面是一个半满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带
D、半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带
A、导体电阻与加在其上的电压和通过的电流有关
B、在一定的电压下,通过该导体的电流越大,其电阻越大
C、导体的电阻与加在其上的电压成正比,与通过它的电流成反比,电阻可能不是一个恒定值。
D、导体电阻与加在其上的电压和通过的电流无关,只与导体的材料性质及材料的几何尺寸有关
A、太阳能电池利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电位差
B、太阳能电池利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差
C、太阳能电池利用光照使硅材料燃烧发电
D、太阳光照射到硅材料上,会产生激光
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