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[单选题]

关于杂质半导体,下列描述正确的是()

A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;

D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。

提问人:网友goldsea 发布时间:2022-01-06
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第1题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第2题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第3题
导体是如何导电的?
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第4题
以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。
A、n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数

B、p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数

C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

D、n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E、p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

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第5题
关于本征半导体下列说法正确的是

A、纯净的半导体称为本征半导体

B、电子与空穴成对出现,且数量和温度无关

C、有电子和空穴两种载流子

D、在一定条件下,产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等,达到动态平衡

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第6题
关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述,正确的是?()
A、半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带

B、半导体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

C、半导体是:上面是一个半满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

D、半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

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第7题
理想导体表面的垂直入射波在入射介质中的合成波是( )。

A、行波。

B、驻波。

C、行驻波。

D、0。

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第8题
关于一段导体的电阻,下列说法中正确的是( )。

A、导体电阻与加在其上的电压和通过的电流有关

B、在一定的电压下,通过该导体的电流越大,其电阻越大

C、导体的电阻与加在其上的电压成正比,与通过它的电流成反比,电阻可能不是一个恒定值。

D、导体电阻与加在其上的电压和通过的电流无关,只与导体的材料性质及材料的几何尺寸有关

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第9题
下列关于半导体硅太阳能电池的说法,正确的是

A、太阳能电池利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电位差

B、太阳能电池利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差

C、太阳能电池利用光照使硅材料燃烧发电

D、太阳光照射到硅材料上,会产生激光

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