分别画出N型半导体、P型半导体和杂质补偿半导体的能带结构，并说明在本征半导体基础上，这三种能带结构的形成原因。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

A.本征半导体

B.n型半导体

C.p型半导体

D.高度补偿半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.本征半导体

B. PN结

C. N型半导体

D. P型半导体