更多“分凝系数决定单晶硅中的杂质浓度(对)”相关的问题
第1题
二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。
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第2题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
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第3题
单晶硅材料在受到应力作用后,电阻率发生明显变化,这种现象被称为压阻效应。但是容易受到温度_、光照、杂质浓度等影响。
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第5题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
A. 分凝
B. B.蒸发
C. C.坩埚污染
D. D.损坏
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第6题
当扩散电阻的表面杂质浓度低时,温度增加,压阻系数下降得();当扩散电阻的表面杂质浓度高时,温度增加,压阻系数下降得()。
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第7题
离子注入的结深主要有注入的能量决定,杂质浓度分布是由剂量决定。
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第8题
表面杂质浓度低时,随温度升高,压阻系数下降较快。
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第9题
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
A.分凝度
B. 固溶度
C. 分凝系数
D. 扩散系数
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第10题
当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数()。
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