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[主观题]

分凝系数决定单晶硅中的杂质浓度(对)

提问人:网友kirby1119 发布时间:2022-01-06
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第1题
二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。

A.降低

B. 增加

C. 不变

D. 先降低后增加

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第2题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()

A.损坏

B.蒸发

C.坩埚污染

D.分凝

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第3题
单晶硅材料在受到应力作用后,电阻率发生明显变化,这种现象被称为压阻效应。但是容易受到温度_、光照、杂质浓度等影响。
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第4题
什么是杂质分凝效应和分凝系数?
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第5题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()

A. 分凝

B. B.蒸发

C. C.坩埚污染

D. D.损坏

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第6题
当扩散电阻的表面杂质浓度低时,温度增加,压阻系数下降得();当扩散电阻的表面杂质浓度高时,温度增加,压阻系数下降得()。

A.快慢

B.慢快

C.慢慢

D.快快

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第7题
离子注入的结深主要有注入的能量决定,杂质浓度分布是由剂量决定。
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第8题
表面杂质浓度低时,随温度升高,压阻系数下降较快。
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第9题
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。

A.分凝度

B. 固溶度

C. 分凝系数

D. 扩散系数

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第10题
当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数()。

A.增加

B.减小

C.不变

D.不定

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