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什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?

提问人:网友qjzjz70 发布时间:2022-01-07
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第1题
什么是MOSFET的有效沟道长度调制效应?如何抑制有效沟...

什么是MOSFET的有效沟道长度调制效应?如何抑制有效沟道长度调制效应?

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第2题
小尺寸MOS器件中的二阶效应不包括()。 A、短沟道效应引起的阈值电压变化 B、体效应 C、沟道长度的调制 D、迁移率的退化
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第3题
下列关于MOS模型的说法正确的有()

A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立

B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算

C.MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数

D.MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

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第4题
在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10
在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10

=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=3均相同,沟道长度调制效应忽略不计.

在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=3

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第5题
什么是基区宽度调制效应(Early效应)?它对晶体管的输出特性曲线有什么影响?

什么是基区宽度调制效应(Early效应)?它对晶体管的输出特性曲线有什么影响?

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第6题
对MOSFET的沟道长度调制效应,亚阈值导电,背栅控制特性等你的掌握程度如何()

A.比较了解

B.有所了解

C.比较模糊

D.基本上没有掌握

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第7题
计算下图所示电路的小信号增益,考虑衬底调制和沟道长度调制效应。 计算下图所示电路的小信号增益,考虑衬底调制和沟道长度调制效应。
计算下图所示电路的小信号增益,考虑衬底调制和沟道长度调制效应。计算下图所示电路的小信号增益,考虑衬底调制和沟道长度调制效应。
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第8题
MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。
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第9题
计算下图所示电路的小信号增益(忽略沟道长度调制效应)。 计算下图所示电路的小信号增益(忽略沟道长度调制效应)。
计算下图所示电路的小信号增益(忽略沟道长度调制效应)。计算下图所示电路的小信号增益(忽略沟道长度调制效应)。
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第10题
以下关于N沟道MOSFET的描述,正确的是______。

A、具有较小的输入电阻

B、开启电压A、具有较小的输入电阻B、开启电压随温度升高而升高C、沟道长度越小,沟道长度调制效应越严重D、衬底和随温度升高而升高

C、沟道长度越小,沟道长度调制效应越严重

D、衬底和源极相连或接在电路的最高电位

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