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[主观题]

什么是基区宽度调制效应（Early效应)？它对晶体管的输出特性曲线有什么影响？

什么是基区宽度调制效应(Early效应)？它对晶体管的输出特性曲线有什么影响？

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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第1题

体现三极管基区宽度调制效应的参数是______。

A. 体现三极管基区宽度调制效应的参数是______。

B. 体现三极管基区宽度调制效应的参数是______。

C. 体现三极管基区宽度调制效应的参数是______。

D. 体现三极管基区宽度调制效应的参数是______。

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第2题

晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。

A. 晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。

B. 晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。

C. 晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。

D. 晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。

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第3题

BJT大注入情况下不会引起（)。

A.基区电导调制效应

B.有效基区扩展效应

C.基区宽度调制效应

D.自建电场

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第4题

如果电流过大可能会导致基区宽度变小，这就是基区电导调制效应

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第5题

BJT大注入情况下不会引起（）。

A.基区电导调制效应

B.有效基区扩展效应

C.基区宽度调制效应

D.自建电场

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第6题

考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。（)

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第7题

以下________直接导致NPN晶体管的输出阻抗变小

A.基区宽度调制效应

B.发射结复合电流影响

C.Webster 效应

D.Kirk效应

E.发射极电流集边效应

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第8题

引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。

A.发射结正偏电压变化

B.集电结反偏电压变化

C.基区少子浓度梯度变化

D.发射结势垒宽度变化

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第9题

考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。

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第10题

引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（)。

A.发射结正偏电压变化

B.集电结反偏电压变化

C.基区少子浓度梯度变化

D.发射结势垒宽度变化

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