题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

题3-2-12 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是。

A.设备简单，操作容易

B.所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快

C.生长机理简单

D.工艺重复性不够理想

提问人：网友liuxing686 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

A、真空蒸镀

B、溅射镀膜

C、离子镀

D、等离子弧喷涂

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第2题

物理气相沉积装置和化学气相沉积装置均为真空装置。()

此题为判断题(对，错)。

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第3题

常见的物理气相沉积技术有哪几项()。

A、真空蒸镀

B、溅射镀膜

C、离子镀膜

D、分子束外延技术

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第4题

常见的物理气相沉积技术有()。

A、真空蒸镀

B、溅射镀膜

C、离子镀膜

D、分子束外延技术

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第5题

物理气相沉积（PVD）

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第6题

什么叫物理气相沉积，有何优缺点？

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第7题

目前主要的长纤维有：硼纤维、玻璃纤维、碳纤维、氧化铝纤维、碳化硅纤维等。

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第8题

薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

A. 形成晶核

B. 晶粒自旋

C. 晶粒凝结

D. 缝道填补

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第9题

题3-3-1 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是：。

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

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