更多“当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流…”相关的问题
第1题
当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()
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第2题
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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第3题
当电流一定时，直流电压随电解液温度变化：温度高电压低，温度低电压高。
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第4题
【单选题】绝缘栅场效应管工作时的栅极电流（ ）。
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第5题
当温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流会如何变化？（ ）
A、晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小
B、晶闸管的触发电流减小，反向漏电流增加
C、晶闸管的触发电流、反向漏电流保持不变
D、晶闸管的触发电流减小，反向漏电流减小
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第6题
引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（ ）和漏区静电场对沟道的反馈作用。
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第7题
为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。
A、漏区和源区的电压降可以忽略不计
B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C、在沟道内载流子的迁移率为常数
D、其他选项都正确
第8题
当栅源电压为0时， 管不可能工作在恒流区。
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第9题
电感元件两端电压升高时,电压与电流方向相同。()
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第10题
MOSFET的（ ）是输出特性曲线的斜率，（ ）是转移特性曲线的斜率。
A、漏源电导，跨导
B、跨导，漏源电导
C、漏源电阻，栅源电阻
D、漏源电阻，跨导
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