题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下列关于费米能级的说法错误的是()。
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
提问人:网友lijunduo
发布时间:2022-01-07
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
B、本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C、N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D、N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A、空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B、对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C、平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等
D、平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似
A、复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合
B、复合中心的存在会降低少数载流子的寿命
C、通过复合中心的复合属于间接复合,比直接复合的几率小
D、复合中心能级一般在禁带中央附近
A、PN结外加正向偏压增大
B、PN结外加反向偏压减小
C、使空间电荷区势垒宽度减小
D、使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
A、隧道击穿也称齐纳击穿
B、隧道击穿发生在重掺杂PN结中
C、势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
D、隧道击穿的击穿电压温度系数为负
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!