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[单选题]

()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。

A.半导体二极管

B. 晶体三极管

C. 场效应晶体管

D. 双向晶闸管

提问人:网友syd1101 发布时间:2022-01-06
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第1题
()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的

A.半导体二极管;

B.晶体三极管;

C.场效应晶体管;

D.双向晶闸管。

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第2题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压
约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。 2 、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。 3 、二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 4 、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。 5 、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 电子技术。 6 、PN结反向偏置时,PN结的内电场 。PN具有 特性。 7 、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。 8 、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 载流子的 运动形成。 9 、P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 、本征半导体的载流子为 。 10 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类

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第3题
测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为干扰平衡法。
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第4题
测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向
测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为干扰平衡法。()

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第5题
测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为屏蔽法。()
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第6题
增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零时漏极电流为零,即没有导

增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零时漏极电流为零,即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加,形成感生沟道,使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强()

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第7题
测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为____。

A、屏蔽法

B、选相倒相法

C、干扰平衡法

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第8题
测量电气设备介质损耗角正切值trnδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为()。

A、屏蔽法

B、选相倒相法

C、干扰平衡法

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第9题
以下关于载流子运动的描述正确的是

A、载流子在电场作用下作漂移运动。

B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动。

C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度。

D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度。

E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。

F、只有载流子的漂移运动会形成电流,载流子的扩散运动不形成电流。

G、载流子的扩散运动也是定向运动,也会形成电流。

H、在均匀半导体中,如果没有产生非平衡载流子,则不存在载流子的扩散运动。

I、在均匀半导体中,如果在材料的局部区域产生非平衡载流子,则非平衡载流子作扩散运动

J、非均匀半导体中,没有外加电场时,如果没有产生非平衡载流子,则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动。

K、在电场作用下,材料中所有的载流子都作漂移运动。

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第10题
在常规测量中,利用光敏二极管进行光强的检测时,光敏二极管上外加电源所形成的电场方向一般应
该与PN结处内电场的方向一致。()

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