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[主观题]

多晶硅栅具有自对准的功能。

提问人：网友simsong 发布时间：2022-01-07

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第9题

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B、绝缘衬底硅技术

C、氢掺杂漏技术

D、环绕掺杂技术

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第10题

MOS晶体管的源区、漏区一级源、漏之间的沟道区域通常称为

A、场区

B、有源区

C、衬底区

D、阱区

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