更多“金属铝互连时,常常采用双大马士革工艺。”相关的问题
第1题
硅铁冶炼采用电效率和热效率都比较()的供电制度最为合理。
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第2题
采用空心轴、薄壁壳体、轻合金壳体比实心、厚壁、钢或铸铁孔配合要紧一些。
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第3题
在半导体器件和集成电路的制造过程中都需要进行多次光刻,每次光刻的图形必须相互套准,这些图形边缘间最小的距离就称为套刻对准。
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第4题
离子注入后,硅片晶格结构遭到破坏,因此需要通过退火进行修复。
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第5题
采用氢氧合成的热氧化时,反应之前一定要先用氢气进行充气,然后才能工作。结束时,也要将残留的气体清除干净。
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第6题
在淀积好金属层之外,通常采用LPCVD法来淀积SiO2。
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第7题
有机残余物杂质通常会造成氧化层击穿、PN结漏电、阈值电压偏移。
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第8题
铝比铜的电阻率更低,因而铝互连功耗更小,芯片速度更快。
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第9题
离子注入的结深主要有注入的能量决定,杂质浓度分布是由剂量决定。
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