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[主观题]

离子注入后,晶格结构会产生损伤,因此需要进行__________工艺。

提问人:网友mikeahu 发布时间:2022-01-07
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第1题
在氯化铯晶体中,一价氯离子Cl— 与其最邻近的八个一价铯离子Cs+构成如图所示的立方晶格结构. (1)求氯离子所受的库仑力;(2)假设图中箭头所指处缺少一个铯离子(称作晶格缺陷),求此时氯离子所受的库仑力。

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第2题
离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度()

此题为判断题(对,错)。

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第3题
钾离子嵌入粘土晶格,使晶层间的连接力()。
A.增强

B.减弱

C.不变

D.无法判断

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第4题
晶格能的大小反映离子键的强弱。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题
在高温高压条件下,分子氢部分发生氢解而变成原子氢或离子氢,并通过金属晶格和晶界向钢内扩散,扩散侵入钢中的氢与不稳定的碳化合发生化学反应,生成甲烷气泡造成钢中应力集中使晶界变宽,并发展成裂纹,引起钢的强度、延性等下降。这种现象称为()。

A.氢致诱导裂纹

B.氢腐蚀

C.氢脆

D.应力腐蚀

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第6题
电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散薄层所显示出来的电阻称为:__________。
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第7题
如果要生长厚度为1000埃的二氧化硅,需要消耗厚度为__________埃的硅。
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第8题
能够实现全局平坦化的技术是__________。
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第9题
通常生产中制备单晶硅的方法有__________和__________。
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第10题
CMOS制造工艺中用于制作场氧化层的技术为__________。
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