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[主观题]

基于NMOS管一阶I-V公式，计算宽长比分别为W1/L1与W2/L2的NMOS管M1与M2进行串联后的三端电路的I-V关系。

基于NMOS管一阶I-V公式，计算宽长比分别为W1/L1与W2/L2的NMOS管M1与M2进行串联后的三端电路的I-V关系。

基于NMOS管一阶I-V公式，计算宽长比分别为W1/L1与W2/L2的NMOS管M1与M2进行串联后

提问人：网友niujunli 发布时间：2022-01-07

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第1题

电路如图所示，设两管特性相同，VT1的（W/L）是VT2的5倍，

，

，(W/L)1=5.0/0.5，

，求ID2的值。

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第2题

按要求填写下表。已知NMOS管的W/L =40，K'n= 200μA/V²，V_A=10V;BJT的β=100，V_A=100V。

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第3题

3. 在如图所示电路中，假设两管mn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。

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第4题

2如图题所示电路，两个MOS管参数完全一致，已知W/L=50，μnCox=250μA/V2，VA=10V，恒流源I的输出电阻为400kW，RL=8kΩ，求：（1）求MOS管的小信号参数gm,ro （2）差分输出时的差模增益Ad；（3）如果RL接在VT1的漏极与地之间，求共模抑制比CMRR。

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第5题

估算下列两种情况下，20盏单相220V、40W荧光灯负载时电路的总电流。 ⑴采用电子镇流器的荧光灯。 ⑵采用电感镇流器的荧光灯。

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第6题

某用户有日光灯两盏，每盏功率为 40W；有 60W 和 15W 白炽灯各一盏；电视机一台，功率为 25W；录音机一台，功率为 15W。这些设备每天工作 5 小时，若电费为每度 0.5 元，问该用户一个月需交多少电费？

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第7题

下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：

A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。

B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。

C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。

D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。

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第8题

1、根据所给电压偏置来判断当前NMOS所处的状态以及漏端电流。其中PMOS的参数为k'p = 30 µA/V2, VT0 = –0.4 V, λ = -0.1 V-1 。假设（W/L）=1。（1）VGS = –0.5 V, VDS = –1.25 V. （2）VGS = –2.5 V, VDS = –1.8 V.

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第9题

根据下表推断出器件参数。已知VDSAT=－1V，假定-2ΦF = -0.6V. （1）该器件是PMOS还是NMOS？（2）求出VT0 （3）求出γ （4）求出λ （5）判断每列表格所处的区域

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