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[单选题]

N型半导体中自由电子数远多于空穴，N型半导体中自由电子主要来源是（）。

A.本征激发

B.掺杂

C.硅原子核外电子

D.锗原子核外电子

提问人：网友wendycyy 发布时间：2022-01-07
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更多“N型半导体中自由电子数远多于空穴，N型半导体中自由电子主要来…”相关的问题
第1题
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
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第2题
N型半导体中自由电子是多数载流子。
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第3题
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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第4题

什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型半导体的电子和空穴浓度，以及P型半导体的电子和空穴浓度

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第5题
半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。

A. P型半导体

B. 本征半导体

C. N型半导体

D. PN结

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第6题
N型半导体也称为（ ）

A、电子型半导体

B、空穴型半导体

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第7题
N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少子。
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第8题
半导体中的电子数大于空穴数。
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第9题
小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为，则非平衡载流子的寿命为（）

A、

B、

C、

D、

点击查看答案
第10题
在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

A. 空穴／自由电子

B. 自由电子／空穴

C. 空穴／共价键电子

D. 负离子／正离子

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