更多“TTL三极管制造中会使用外延、氧化、光刻、扩散等工艺。”相关的问题
第1题
下面哪个选项的工艺是在NPN三极管制造过程中使用到的工艺()。
A.外延、扩散
B.光刻、氧化
C.蒸铝、键合
D.以上全对
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第2题
集成电路制造工艺需要用到光刻、刻蚀、掺杂、氧化等工艺,是一个非常复杂经过多道工序的过程。
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第3题
光刻加工的工艺过程为:()A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C
光刻加工的工艺过程为:()
A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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第4题
【单选题】集成电路制造中图形转移是通过什么工艺实现的
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第5题
芯片版图一般可以与芯片制造中的哪道工序联系在一起?()
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第6题
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?
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第7题
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。()
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第8题
光刻是IC制造中最关键的工艺,光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一。()
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第9题
压阻式压力传感器采用()工艺加工生产。
A.光刻制造
B.光镀精密制造
C.集成电路制造
D.精密加工制造
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第10题
光刻工艺中,底膜处理包括清洗、烘干和(),比如在硅片表面氧化层上光刻时,常涂敷()作为底胶。
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