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[主观题]
烤瓷炉真空调节装置的作用是（)。A、防瓷体氧化B、调节炉膛温度C、排除炉膛内的空气，保持炉内真空度
烤瓷炉真空调节装置的作用是()。
A、防瓷体氧化
B、调节炉膛温度
C、排除炉膛内的空气，保持炉内真空度
D、调节炉膛压力
E、调节炉膛升降
提问人：网友dll698
发布时间：2022-01-06
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A.炉膛
B.产热装置
C.电流调节装置
D.调温装置
E.真空调节装置
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第3题
现代牙科烤瓷炉的组成是A、变压器及整流器B、高频振荡器及铸造装置C、打磨机头及控制器D、炉膛、产热
现代牙科烤瓷炉的组成是
A、变压器及整流器
B、高频振荡器及铸造装置
C、打磨机头及控制器
D、炉膛、产热装置、电流调节与调温装置、真空调节装置
E、炉膛及电流调节装置
第4题
烤瓷牙戴入后出现颈缘崩瓷，最可能的原因是A.颈缘瓷过长B.筑瓷过程中没注意吸干水分C.烤瓷炉真空
烤瓷牙戴入后出现颈缘崩瓷，最可能的原因是
A.颈缘瓷过长
B.筑瓷过程中没注意吸干水分
C.烤瓷炉真空度不够
D.咬合关系太紧
E.金-瓷不匹配
第5题
烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象，其可能原因为A、烤瓷炉内污染B、真空不好或
烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象，其可能原因为
A、烤瓷炉内污染
B、真空不好或没抽真空
C、瓷粉内粗细粒度比例不协调
D、未达到烧烤软化温度和时间
E、不透明瓷层太薄
第6题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真
空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
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B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃
B、21～30℃
C、10℃以内
D、11～20℃
E、5℃
在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败
B、烤瓷失败，烤瓷件报废
C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连
D、炉膛报废
E、发热体损坏
请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
第7题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真
空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括()。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
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B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是()。A、31～40℃
B、21～30℃
C、10℃以内
D、11～20℃
E、5℃
在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是()。A、烤瓷失败
B、烤瓷失败，烤瓷件报废
C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连
D、炉膛报废
E、发热体损坏
第8题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在
烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃
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B、21～30℃
C、10℃以内
D、11～20℃
E、5℃
在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败
B、烤瓷失败，烤瓷件报废
C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连
D、炉膛报废
E、发热体损坏
真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
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第9题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在
烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃
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B、21～30℃
C、10℃以内
D、11～20℃
E、5℃
在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败
B、烤瓷失败，烤瓷件报废
C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连
D、炉膛报废
E、发热体损坏
真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
第10题
PFNI牙本质的切端层中出现气泡，可能的原因有
A.不透明瓷层有气泡
B.瓷粉堆积时混入气泡
C.烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
D.烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
E.在瓷粉混合中或混合后有杂质
