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浮生(外延生长)

提问人:网友chenanqiong 发布时间:2022-01-06
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第1题
蓝宝石上可以外延生长硅。
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第2题
外延生长结束时必须进行降温取片。
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第3题
比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的优缺点。
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第4题
MOCVD可以显著降低外延薄膜的生长温度。
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第5题
外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

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第6题
气相外延生长硅时,SiCl4的浓度越高越好。
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第7题
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?

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第8题
外延生长工艺流程是()。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长

A.①②③④⑤

B.①②③⑤④

C.③①②⑤④

D.③①②④⑤

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第9题
关于MBE下列哪种方法正确:

A.能生长极薄外延层,可薄至Å量级

B.是一种化学外延技术

C.外延温度较高

D.适合生长多层、结构复杂的外延层

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第10题
简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?...

简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?

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