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[单选题]
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=3.2V时,该管处于 ()状态。
A.截止
B.导通
C.可变电阻
D.反向击穿
提问人:网友guzhzh
发布时间:2022-01-07
A.截止
B.导通
C.可变电阻
D.反向击穿
B、VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C、VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D、VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
A、MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
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