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[判断题]
硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。此题为判断题(对,错)。
提问人:网友zzd8310
发布时间:2022-01-06
A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。
A.一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容
B.硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流
C.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
D.二极管具有单向导电性,因此希望反向电流越小越好
硅二极管的正向导通压降比锗二极管______,反向饱和电流比锗二极管______。
A.大 B.小 C.相等
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