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[主观题]

掺杂浓度分布如下图,请判断对错: [图]A、(a)、(b)是扩...

掺杂浓度分布如下图,请判断对错:掺杂浓度分布如下图,请判断对错:  [图]A、(a)、(b)是扩...掺杂浓度分布如下图,请判断对错

A、(a)、(b)是扩散掺杂,杂质浓度都是余误差分布;

B、(c)是离子注入掺杂,是高斯分布;

C、(a)是限定源扩散掺杂,是余误差分布;(b)是恒定源扩散,是高斯分布;

D、(a)是限定源扩散掺杂,是高斯分布;(b)是恒定源扩散,是余误差分布;

E、(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布;

F、(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。

提问人:网友zhanglu1030 发布时间:2022-01-07
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第1题
掺杂浓度分布如下图,请判断对错: [图]A、(a)、(b)是扩散...

掺杂浓度分布如下图,请判断对错:

A、(a)、(b)是扩散掺杂,杂质浓度都是余误差分布;

B、(c)是离子注入掺杂,是高斯分布;

C、(a)是限定源扩散掺杂,是余误差分布;(b)是恒定源扩散,是高斯分布;

D、(a)是限定源扩散掺杂,是高斯分布;(b)是恒定源扩散,是余误差分布;

E、(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布;

F、(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。

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第2题
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?
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第3题
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

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第4题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A.掺杂种类

B.掺杂浓度

C.温度

D.电压

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第5题
通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
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第6题
假设掺杂浓度为的p型Si,其少子扩散长度约为1mm,那么,当掺杂浓度为时,其少子扩散长度可能为()

A.1

B.1

C.2

D.2

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第7题
看图判断下列描述是否正确:

A.是有限源扩散,杂质浓度分布是高斯函数;

B.是有限源扩散,杂质浓度分布是余误差函数;

C.是恒定源扩散,杂质浓度分布是高斯函数;

D.是恒定源扩散,杂质浓度分布是余误差函数。

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第8题
看图判断下列描述是否正确:

A.是有限源扩散,杂质浓度分布是高斯函数;

B.是有限源扩散,杂质浓度分布是余误差函数;

C.是恒定源扩散,杂质浓度分布是高斯函数;

D.是恒定源扩散,杂质浓度分布是余误差函数。

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第9题
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()

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第10题
施主掺杂浓度为,受主掺杂浓度为的合金结,可以表示为()

A.,突变结

B.,突变结

C.,缓变结

D.,缓变结

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