扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

掺杂浓度分布如下图，请判断对错：

A、(a)、(b)是扩散掺杂，杂质浓度都是余误差分布；

B、(c)是离子注入掺杂，是高斯分布；

C、(a)是限定源扩散掺杂，是余误差分布；(b)是恒定源扩散，是高斯分布；

D、(a)是限定源扩散掺杂，是高斯分布；(b)是恒定源扩散，是余误差分布；

E、(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布；

F、(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。

掺杂浓度分布如下图，请判断对错：

A、(a)、(b)是扩散掺杂，杂质浓度都是余误差分布；

B、(c)是离子注入掺杂，是高斯分布；

C、(a)是限定源扩散掺杂，是余误差分布；(b)是恒定源扩散，是高斯分布；

D、(a)是限定源扩散掺杂，是高斯分布；(b)是恒定源扩散，是余误差分布；

E、(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布；

F、(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。

A.扩散

B.离子注入

C.合金法

D.生长法

A、将P型和N型半导体掺杂

B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散

C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散

D、多数载流子与少数载流子相互扩散

A.MOS器件源漏精确掺杂

B.形成浅结

C.调节MOS器件阈值电压

D.形成互连

A.掺杂种类

B.掺杂浓度

C.温度

D.电压

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子