题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）
A.费米能级靠近导带底
B.空穴为多子
C.电子为少子
D.费米能级靠近靠近于价带顶
提问人：网友hujiqiang
发布时间：2022-01-06
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第3题
关于霍耳效应,以下说法正确的是?()
A、室温时，n型半导体的霍耳系数为负
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B、室温时，p型半导体的霍耳系数为正
C、n型半导体的霍耳角为负
D、p型半导体的霍耳角为正
E、室温时，n型半导体的霍耳系数为正
F、室温时，p型半导体的霍耳系数为负
第4题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
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B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
第5题
关于PN结下列说法正确的是：（）。
A. PN结是P型，N型半导体混合制成的
B. PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C. PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D. PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
第6题
下列关于费米能级的说法错误的是()。
A、费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
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B、本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C、N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D、N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
第7题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
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B、若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加，阈值电压增加
第8题
关于强电离区，以下说法正确的是：
A、载流子浓度不随温度变化
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
第9题
关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。
A. 只存在一种载流子：自由电子
B. 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C. 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D. 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
第10题
某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）
A、0.496um
B、0.496nm
C、0.248um
D、0.248um
