题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
提问人：网友fangzhl
发布时间：2022-01-07
题目内容
（请给出正确答案）
如搜索结果不匹配，请 
您可能会需要：
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是”相关的问题
第5题
下述说法中，正确的是（)。 （A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体（n型或p型)只
下述说法中，正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第6题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
第7题
以下关于杂质的描述正确的是
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。
C、中性杂质不会对半导体产生影响。
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。
J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。
K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。
第8题
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A．大于 B．等于 C．小于
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于
第10题
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？（)
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
