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[主观题]

杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A.大于 B.等于 C.小于

杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。

A.大于 B.等于 C.小于

提问人:网友anonymity 发布时间:2022-01-07
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第1题
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
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第2题
半导体中的载流子浓度与自身( )无关。 A.温度 B.光照 C.体积 D.参杂
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第3题
整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。
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第4题

什么是半导体和本征半导体? P型和N型半导体的多数载流子分别是什么? PN结是如何形成的? PN结的单向导电性?

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第5题
对于杂质半导体而言,载流子可以来源于杂质电离和本征激发
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第6题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第7题
随着温度的升高,N型半导体中的载流子数目变化为:

A、自由电子变多,空穴变少。

B、自由电子变少,空穴变多。

C、自由电子变少,空穴变少。

D、自由电子变多,空穴变多。

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第8题
关于准费米能级,以下说法正确的是:

A、电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度

B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态

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第9题
试说明半导体中主要的散射机构及其与杂质浓度和温度的关系。
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第10题
本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
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