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直拉法和悬浮区熔法制备单晶方法比较？

提问人：网友wanghu9999 发布时间：2022-01-07

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第1题

直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。

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第2题

下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。

A.硅带法

B. 区熔法

C. 直拉单晶法

D. 磁拉法

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第3题

制备单晶硅的方法有

A.直拉法（CZ）

B.悬浮区熔法（FZ）

C.蒸发

D.溅射

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第4题

制备单晶硅的方法有

A.直拉法

B.悬浮区熔法

C.四探针法

D.范德堡法

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第5题

当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。

A.悬浮区熔法

B.氧化法

C.还原法

D.直拉法

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第6题

简要叙述直拉法制备单晶的过程及其特点？

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第7题

工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。

A.三氯氢硅的氢还原法

B.直拉法

C.区熔法

D.沉积法

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第8题

直拉法和区熔法均可制备单晶硅，二者均被广泛使用，市场占有额差不多。（)

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第9题

直拉法制备单晶时，单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有

A.温度

B.气压

C.提拉速度

D.转速

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第10题

单晶硅锭的两种常见生产工艺有()。

A.浇铸法

B.直拉法

C.直熔法

D.区熔法

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