题目内容
（请给出正确答案）
A.晶闸管串联使用时，仅需要采取静态均压措施即可。
B.晶闸管串联均压措施就是选择动态参数和特性尽量一致的器件即可。
C.晶闸管串联使用时，需要采取静态均压措施和动态均压措施。
D.晶闸管串联使用时，仅需要采取动态均压措施即可。
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B．允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C．允许流过最大方波电流的平均值。
D．允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
A、型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B、型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C、型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D、型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
A、驱动电路对装置的影响有：缩短开关时间、减少损耗，提高装置的运行效率、安全性、可靠性。
B、器件过电压成因有外因与内因，外因为换相、关断过电压；内因为操作、雷击过电压。
C、过压保护一般用避雷器即可。
D、过流保护一般用压敏电阻即可。
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