题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

IC芯片的横向结构是通过工艺实现的。（填2个字）

提问人：网友rock1985 发布时间：2022-01-07

参考答案

查看官方参考答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！

更多“IC芯片的横向结构是通过工艺实现的。（填2个字）”相关的问题

第1题

所谓横向综合结构是一种按照（）来组织系统结构的构成原则。

点击查看答案

第2题

层次结构即管理层次的构成，又称组织的横向结构

点击查看答案

第3题

行政组织的横向结构又称为()A.职能结构B.直线结构C.组织结构D.权责结构

行政组织的横向结构又称为( )

A．职能结构

B．直线结构

C．组织结构

D．权责结构

点击查看答案

第4题

【单选题】建立组织结构的基础是:

A、纵向划分

B、横向划分

C、人员划分

D、目标划分

点击查看答案

第5题

关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？

A、采取浸入式光刻方法

B、光源为紫光

C、驻波效应对分辨率无影响

D、使用移相掩膜技术制备的光刻版

点击查看答案

第6题

正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。

点击查看答案

第7题

IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：

A、在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；

B、在淀积的铝膜中掺入约1%Si；

C、在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；

D、在铝膜表面覆盖Si3N4。

点击查看答案

第8题

在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。

点击查看答案

第9题

单晶硅刻蚀一般采用做掩蔽层。（在下面选择一个，填入）光刻胶、金属、二氧化硅、多晶硅

点击查看答案

第10题

LOCOS的2）、3）工艺步骤是采取下列哪种工艺方法： [图]A...

LOCOS的2）、3）工艺步骤是采取下列哪种工艺方法：

A、2）热氧化生长SiO2

B、2）APCVD制备SiO2

C、3) RIE去除Si3N4

D、3) HF腐蚀去除Si3N4

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

简答题

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

简答题

点击打开微信